JMH65R400MFFD Todos los transistores

 

JMH65R400MFFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R400MFFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 82 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMH65R400MFFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  jiejie micro
 jmh65r400mffd.pdf pdf_icon

JMH65R400MFFD

650V, 9.0A, 338m N-channel Power SuperJunction MOSFETJMH65R400MFFDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 9.0 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 338 mWApplications SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies Silver ATX

 4.1. Size:1203K  jiejie micro
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JMH65R400MFFD

650V, 7.0A, 350m N-channel Power SuperJunction MOSFETJMH65R400MKFDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 7.0 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 350 mWApplications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 4.2. Size:1192K  jiejie micro
 jmh65r400mplnfd.pdf pdf_icon

JMH65R400MFFD

650V, 9A, 359m N-channel Power SuperJunction MOSFETJMH65R400MPLNFDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 9.0 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 359 mWApplications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 7.1. Size:350K  jiejie micro
 jmh65r430af.pdf pdf_icon

JMH65R400MFFD

JMH65R430AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

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