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JMH65R400MPLNFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R400MPLNFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8080-4L
 

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JMH65R400MPLNFD datasheet

 0.1. Size:1192K  jiejie micro
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JMH65R400MPLNFD

650V, 9A, 359m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MPLNFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 359 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 4.1. Size:1203K  jiejie micro
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JMH65R400MPLNFD

650V, 7.0A, 350m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MKFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 350 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 4.2. Size:1250K  jiejie micro
 jmh65r400mffd.pdf pdf_icon

JMH65R400MPLNFD

650V, 9.0A, 338m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MFFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 338 mW Applications SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies Silver ATX

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History: BF960S | AGM065N10C

 

 
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