JMH65R400MPLNFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R400MPLNFD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: DFN8080-4L

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JMH65R400MPLNFD datasheet

 0.1. Size:1192K  jiejie micro
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JMH65R400MPLNFD

650V, 9A, 359m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MPLNFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 359 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 4.1. Size:1203K  jiejie micro
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JMH65R400MPLNFD

650V, 7.0A, 350m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MKFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 350 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silve

 4.2. Size:1250K  jiejie micro
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JMH65R400MPLNFD

650V, 9.0A, 338m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R400MFFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 4.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 338 mW Applications SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies Silver ATX

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