JMSH1018AE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1018AE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: TO263

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JMSH1018AE datasheet

 ..1. Size:333K  jiejie micro
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JMSH1018AE

JMSH1018AC JMSH1018AE 100V 15.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu

 5.1. Size:292K  jiejie micro
jmsh1018ag.pdf pdf_icon

JMSH1018AE

JMSH1018AG 100V 15.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 6.1. Size:637K  jiejie micro
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JMSH1018AE

JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 6.2. Size:837K  jiejie micro
jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018AE

JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

Otros transistores... JMH65R360MK, JMH65R360PF, JMH65R360PK, JMH65R400MFFD, JMH65R400MKFD, JMH65R400MPLNFD, JMH65R430ACFP, JMSH1018AC, AON6380, JMSH1018AG, JMSH1018PC, JMSH1018PE, JMSH1018PG, JMSH1018PGD, JMSH1018PGQ, JMSH1018PK, JMSH1018PP