JMSH1018AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1018AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH1018AG MOSFET
JMSH1018AG datasheet
jmsh1018ag.pdf
JMSH1018AG 100V 15.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1018ac jmsh1018ae.pdf
JMSH1018AC JMSH1018AE 100V 15.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu
jmsh1018pk.pdf
JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
jmsh1018pg.pdf
JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
Otros transistores... JMH65R360PF , JMH65R360PK , JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD , JMH65R430ACFP , JMSH1018AC , JMSH1018AE , 12N60 , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE .
History: BF960S | AGM065N10C
History: BF960S | AGM065N10C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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