JMSH1018AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1018AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH1018AG MOSFET
JMSH1018AG Datasheet (PDF)
jmsh1018ag.pdf

JMSH1018AG100V 15.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)15.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1018ac jmsh1018ae.pdf

JMSH1018ACJMSH1018AE100V 15.5m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indu
jmsh1018pk.pdf

JMSH1018PK100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
jmsh1018pg.pdf

JMSH1018PG100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
Otros transistores... JMH65R360PF , JMH65R360PK , JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD , JMH65R430ACFP , JMSH1018AC , JMSH1018AE , IRF1010E , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE .
History: AOB2140L | TK11Q65W | JMSH1018PE | NTF3055L175T1G | JMSH1018PP | PZP003BYB | BUK637-500B
History: AOB2140L | TK11Q65W | JMSH1018PE | NTF3055L175T1G | JMSH1018PP | PZP003BYB | BUK637-500B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
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