JMSH1018PG Todos los transistores

 

JMSH1018PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1018PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1018PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  jiejie micro
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JMSH1018PG

JMSH1018PG100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 0.1. Size:1188K  jiejie micro
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JMSH1018PG

100V, 52A, 15.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 52 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 15.2 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 0.2. Size:1314K  jiejie micro
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JMSH1018PG

100V, 26A, 17m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 26 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 17 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-DS

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PG

JMSH1018PK100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

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