DMG9926UDM Todos los transistores

 

DMG9926UDM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG9926UDM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 856 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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DMG9926UDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9926UDMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SOT-26 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 28m @VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 32m @

 6.1. Size:161K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9926USDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 24m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 29m @ VGS = 2.5V Terminals Conn

 9.1. Size:157K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9933USDDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di

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History: FW216A | TSA28N50M | 2N60L-T60-T | TSA82N30M | ELM14408AA | AONS36335 | NTD65N03R-1G

 

 
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