DMG9926UDM Todos los transistores

 

DMG9926UDM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG9926UDM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 856 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT26

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DMG9926UDM datasheet

 ..1. Size:135K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9926UDM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low Gate Charge Case SOT-26 Low RDS(ON) Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 28m @VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D 32m @

 6.1. Size:161K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9926USD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOP-8L Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 24m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D 29m @ VGS = 2.5V Terminals Conn

 9.1. Size:157K  diodes
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DMG9926UDM

DMG9933USD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Di

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