JMH65R430AF Todos los transistores

 

JMH65R430AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R430AF
   Código: H65R430A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMH65R430AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  jiejie micro
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JMH65R430AF

JMH65R430AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:341K  jiejie micro
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JMH65R430AF

JMH65R430ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H

 4.2. Size:359K  jiejie micro
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JMH65R430AF

JMH65R430AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P

 4.3. Size:348K  jiejie micro
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JMH65R430AF

JMH65R430APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H

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