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JMH65R430AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R430AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMH65R430AK datasheet

 ..1. Size:363K  jiejie micro
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JMH65R430AK

JMH65R430AK 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 370 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

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JMH65R430AK

JMH65R430AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 370 m Eoss@400V 2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P

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JMH65R430AK

JMH65R430AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 364 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

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JMH65R430AK

JMH65R430ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 364 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating H

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History: NCEP30T21GU | AGM056N10A

 

 
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