JMSH1004AEQ Todos los transistores

 

JMSH1004AEQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1004AEQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 216 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1361 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1004AEQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jiejie micro
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JMSH1004AEQ

JMSH1004AEQ100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 216 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-2

 4.1. Size:1065K  jiejie micro
jmsh1004ac jmsh1004ae.pdf pdf_icon

JMSH1004AEQ

JMSH1004ACJMSH1004AE100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 190 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 3.0 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Aut

 6.1. Size:1253K  jiejie micro
jmsh1004mc.pdf pdf_icon

JMSH1004AEQ

100V, 120A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1004MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 117 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 6.2. Size:311K  jiejie micro
jmsh1004bgq.pdf pdf_icon

JMSH1004AEQ

JMSH1004BGQ100V 3.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

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