JMSH1004BE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1004BE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 134 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 905 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO263

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JMSH1004BE datasheet

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JMSH1004BE

JMSH1004BC JMSH1004BE 100V 3.7mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 134 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

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JMSH1004BE

JMSH1004BEQ 100V 3.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 160 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.5 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicati

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JMSH1004BE

JMSH1004BGQ 100V 3.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

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JMSH1004BE

JMSH1004BG 100V 3.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

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