JMSH1004BGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1004BGQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 138 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 906 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1004BGQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1004BGQ datasheet

 ..1. Size:311K  jiejie micro
 jmsh1004bgq.pdf pdf_icon

JMSH1004BGQ

JMSH1004BGQ 100V 3.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 4.1. Size:448K  jiejie micro
 jmsh1004bg.pdf pdf_icon

JMSH1004BGQ

JMSH1004BG 100V 3.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

 4.2. Size:353K  jiejie micro
 jmsh1004bgwq.pdf pdf_icon

JMSH1004BGQ

JMSH1004BGWQ 100V 3.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 152 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V) 3.6 m Automated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 5.1. Size:335K  jiejie micro
 jmsh1004beq.pdf pdf_icon

JMSH1004BGQ

JMSH1004BEQ 100V 3.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 160 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.5 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicati

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC, JMSH1004BE, JMSH1004BEQ, JMSH1004BG, 2N60, JMSH1004BGWQ, JMSH1004MC, JMSH1004NC, JMSH1004NE, JMSH1004NG, JMSH1004RG, JMSH0402AEQ, JMSH0402AGQ