JMSH0402AEQ Todos los transistores

 

JMSH0402AEQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0402AEQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 253 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH0402AEQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  jiejie micro
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JMSH0402AEQ

JMSH0402AEQ40V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 253 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-263-3L

 5.1. Size:353K  jiejie micro
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JMSH0402AEQ

JMSH0402AKQ40V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:569K  jiejie micro
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JMSH0402AEQ

JMSH0402AGQ40V 1.6mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 182 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN

 6.1. Size:332K  jiejie micro
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JMSH0402AEQ

JMSH0402BGQ40V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Typ. Unit VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 166 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-

Otros transistores... JMSH1004BG , JMSH1004BGQ , JMSH1004BGWQ , JMSH1004MC , JMSH1004NC , JMSH1004NE , JMSH1004NG , JMSH1004RG , NCEP15T14 , JMSH0402AGQ , JMSH0402AKQ , JMSH0402BGQ , JMSH0402PG , JMSH0403AG , JMSH0403AGHWQ , JMSH0403AGQ , JMSH0403BG .

History: JMSH1004MC | JMSL1040AV | JMSL1040AG

 

 
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