JMSH0403PGHWQ Todos los transistores

 

JMSH0403PGHWQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0403PGHWQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-HW
 

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JMSH0403PGHWQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1227K  jiejie micro
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JMSH0403PGHWQ

40V, 140A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0403PGHWQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 140 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applic

 2.1. Size:1225K  jiejie micro
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JMSH0403PGHWQ

40V, 131A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0403PGHWProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 131 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-H

 4.1. Size:1191K  jiejie micro
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JMSH0403PGHWQ

40V, 143A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0403PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 143 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

 4.2. Size:1189K  jiejie micro
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JMSH0403PGHWQ

40V, 135A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0403PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 135 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

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