JMSH1002AE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1002AE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 271 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2091 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1002AE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1002AE datasheet

 ..1. Size:657K  jiejie micro
 jmsh1002ac jmsh1002ae.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002AC JMSH1002AE 100V 1.6mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 271 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Ind

 0.1. Size:339K  jiejie micro
 jmsh1002aeq.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002AEQ 100V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:623K  jiejie micro
 jmsh1002as.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002AS 100V 1.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 314 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.2. Size:355K  jiejie micro
 jmsh1002asq.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002ASQ 100V 1.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 333 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0403BG, JMSH0403BGQ, JMSH0403PG, JMSH0403PGHW, JMSH0403PGHWQ, JMSH0403PGQ, JMSH0403PU, JMSH1002AC, IRFP064N, JMSH1002AEQ, JMSH1002AS, JMSH1002ASQ, JMSH1002BC, JMSH1002BE, JMSH1002NC, JMSH1002NE, JMSH1002NS