JMSH1002AE Todos los transistores

 

JMSH1002AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1002AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 271 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2091 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1002AE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1002AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  jiejie micro
 jmsh1002ac jmsh1002ae.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002ACJMSH1002AE100V 1.6mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 271 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Ind

 0.1. Size:339K  jiejie micro
 jmsh1002aeq.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002AEQ100V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:623K  jiejie micro
 jmsh1002as.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002AS100V 1.7mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 314 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.2. Size:355K  jiejie micro
 jmsh1002asq.pdf pdf_icon

JMSH1002AE

JMSH1002ASQ100V 1.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 333 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.8 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0403BG , JMSH0403BGQ , JMSH0403PG , JMSH0403PGHW , JMSH0403PGHWQ , JMSH0403PGQ , JMSH0403PU , JMSH1002AC , 5N50 , JMSH1002AEQ , JMSH1002AS , JMSH1002ASQ , JMSH1002BC , JMSH1002BE , JMSH1002NC , JMSH1002NE , JMSH1002NS .

 

 
Back to Top

 


 
.