JMSH1002RE Todos los transistores

 

JMSH1002RE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1002RE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 325 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 241 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1002RE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1155K  jiejie micro
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JMSH1002RE

100V, 241A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1002REProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 100 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 241 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 6.1. Size:1251K  jiejie micro
jmsh1002ytl.pdf pdf_icon

JMSH1002RE

100V, 215A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1002YTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 215 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Ma

 6.2. Size:339K  jiejie micro
jmsh1002aeq.pdf pdf_icon

JMSH1002RE

JMSH1002AEQ100V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 6.3. Size:1077K  jiejie micro
jmsh1002tc jmsh1002te.pdf pdf_icon

JMSH1002RE

JMSH1002TCJMSH1002TE100V 2.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 193 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS

Otros transistores... JMSH1002AS , JMSH1002ASQ , JMSH1002BC , JMSH1002BE , JMSH1002NC , JMSH1002NE , JMSH1002NS , JMSH1002NTL , 50N06 , JMSH1002TC , JMSH1002TE , JMSH1002TTL , JMSH1002YC , JMSH1002YE , JMSH1002YTL , , .

 

 
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