JMSH0406AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0406AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH0406AG MOSFET
JMSH0406AG Datasheet (PDF)
jmsh0406ag.pdf

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406agdq.pdf

JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio
jmsh0406agd.pdf

JMSH0406AGD40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge, Qg VDS40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE
jmsh0406agq.pdf

JMSH0406AGQ40V 4.1m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications P
Otros transistores... JMSH1002NTL , JMSH1002RE , JMSH1002TC , JMSH1002TE , JMSH1002TTL , JMSH1002YC , JMSH1002YE , JMSH1002YTL , IRFP260N , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD .
History: FDD18N20LZ | JMSH0406AGQ
History: FDD18N20LZ | JMSH0406AGQ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG130N06NF | APG130N06D | APG120N12NF | APG120N10NF | APG110N10NF | APG100N10D | AP9P20D | AP9N20Y | AP9N20P | AP9N20D | AP9928A | AP9926A | AP9435A | AP90P03NF | AP90P01D | AP90N06F
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218