JMSH0406AG Todos los transistores

 

JMSH0406AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0406AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0406AG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0406AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  jiejie micro
jmsh0406ag.pdf pdf_icon

JMSH0406AG

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 0.1. Size:390K  jiejie micro
jmsh0406agdq.pdf pdf_icon

JMSH0406AG

JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio

 0.2. Size:285K  jiejie micro
jmsh0406agd.pdf pdf_icon

JMSH0406AG

JMSH0406AGD40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge, Qg VDS40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE

 0.3. Size:399K  jiejie micro
jmsh0406agq.pdf pdf_icon

JMSH0406AG

JMSH0406AGQ40V 4.1m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications P

Otros transistores... JMSH1002NTL , JMSH1002RE , JMSH1002TC , JMSH1002TE , JMSH1002TTL , JMSH1002YC , JMSH1002YE , JMSH1002YTL , IRF630 , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD .

 

 
Back to Top

 


JMSH0406AG
  JMSH0406AG
  JMSH0406AG
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: JVC502E | JVC113T | JVC105E | JVC103T | JVC103K | JVC085T | JMTY2310A | JMTY11DN10A | JMTV3400A | JVL102Y | JVL102T | JVL102E | JVL101N | JVE103T | JVE102T | JVE102G

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218

 


 
.