JMSH0406PGDQ Todos los transistores

 

JMSH0406PGDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0406PGDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 753 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0406PGDQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0406PGDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGDQ

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 3.1. Size:1304K  jiejie micro
 jmsh0406pgd.pdf pdf_icon

JMSH0406PGDQ

40V, 50A, 4.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 50 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-DS

 4.1. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406pg.pdf pdf_icon

JMSH0406PGDQ

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 4.2. Size:1229K  jiejie micro
 jmsh0406pgq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGDQ

40V, 106A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 106 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applica

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , IRFB4115 , JMSH0406PGQ , JMSH0406PK , JMSH0406PKQ , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.