JMSH1005PC Todos los transistores

 

JMSH1005PC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1005PC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 592 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMSH1005PC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  jiejie micro
jmsh1005pc jmsh1005pe.pdf pdf_icon

JMSH1005PC

JMSH1005PCJMSH1005PE100V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 132 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.0 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicl

 5.1. Size:1237K  jiejie micro
jmsh1005pg.pdf pdf_icon

JMSH1005PC

100V, 110A, 4.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1005PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 110 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPD

 7.1. Size:1263K  jiejie micro
jmsh1001mtl.pdf pdf_icon

JMSH1005PC

100V, 467A, 1.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001MTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 467 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10

 7.2. Size:654K  jiejie micro
jmsh1008pg.pdf pdf_icon

JMSH1005PC

JMSH1008PG100V 6.5mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 80 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.5 Pb-free Lead Plating

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