JMSH1006AE Todos los transistores

 

JMSH1006AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1006AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 114 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1006AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  jiejie micro
jmsh1006ac jmsh1006ae.pdf pdf_icon

JMSH1006AE

JMSH1006ACJMSH1006AE100V 5.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 114 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., I

 5.1. Size:310K  jiejie micro
jmsh1006ag.pdf pdf_icon

JMSH1006AE

JMSH1006AG100V 5.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 102 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.3 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

 5.2. Size:312K  jiejie micro
jmsh1006ak.pdf pdf_icon

JMSH1006AE

JMSH1006AK100V 5.5m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.5 m RoHS and Halogen-Free CompliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

 6.1. Size:1206K  jiejie micro
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JMSH1006AE

100V, 90A, 5.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1006PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 90 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN5

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