JMSH1006PGS Todos los transistores

 

JMSH1006PGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1006PGS
   Código: SH1006PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 101 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSH1006PGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  jiejie micro
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JMSH1006PGS

100V, 101A, 5.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1006PGSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 101 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPD

 4.1. Size:1206K  jiejie micro
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JMSH1006PGS

100V, 90A, 5.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1006PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 90 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN5

 5.1. Size:1290K  jiejie micro
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JMSH1006PGS

100V, 61A, 5.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1006PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 61 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSche

 5.2. Size:1231K  jiejie micro
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JMSH1006PGS

100V, 116A, 5.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1006PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 100 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 116 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

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