JMSH1010PU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1010PU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 643 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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JMSH1010PU datasheet

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JMSH1010PU

100V, 40A, 7.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1010PU Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 40 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

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JMSH1010PU

100V, 75A, 7.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1010PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 75 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

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JMSH1010PU

100V, 49A, 7.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1010PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 49 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

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JMSH1010PU

100V, 75A, 7.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1010PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 75 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

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