JMSH1010PU Todos los transistores

 

JMSH1010PU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1010PU
   Código: SH1010P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 643 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSH1010PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1225K  jiejie micro
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JMSH1010PU

100V, 40A, 7.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1010PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 40 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 5.1. Size:1274K  jiejie micro
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JMSH1010PU

100V, 75A, 7.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1010PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 75 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 5.2. Size:1288K  jiejie micro
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JMSH1010PU

100V, 49A, 7.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1010PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 49 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 5.3. Size:1190K  jiejie micro
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JMSH1010PU

100V, 75A, 7.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1010PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 75 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

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