JMSL0402AG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0402AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1993 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0402AG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0402AG datasheet

 ..1. Size:319K  jiejie micro
 jmsl0402ag.pdf pdf_icon

JMSL0402AG

 0.1. Size:403K  jiejie micro
 jmsl0402agq.pdf pdf_icon

JMSL0402AG

JMSL0402AGQ 40V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

 5.1. Size:285K  jiejie micro
 jmsl0402au.pdf pdf_icon

JMSL0402AG

 5.2. Size:306K  jiejie micro
 jmsl0402ak.pdf pdf_icon

JMSL0402AG

JMSL0402AK 40V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH1010PG, JMSH1010PK, JMSH1010PU, JMSH0406PU, JMSH0406PUQ, JMSH0406BUQ, JMSL0401PG, JMSL0401PGQ, STP80NF70, JMSL0402AGQ, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL