JMSL0402AKQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0402AKQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 211 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1888 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMSL0402AKQ datasheet

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JMSL0402AKQ

JMSL0402AKQ 40V 1.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 211 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.9 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automot

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JMSL0402AKQ

JMSL0402AK 40V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

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JMSL0402AKQ

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JMSL0402AKQ

JMSL0402AGQ 40V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

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