JMTV080N02A Todos los transistores

 

JMTV080N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTV080N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
 

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JMTV080N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  jiejie micro
 jmtv080n02a.pdf pdf_icon

JMTV080N02A

JMTV080N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 20A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:350K  jiejie micro
 jmtv070n02a.pdf pdf_icon

JMTV080N02A

JMTV070N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 25A Load SwitchR

 9.2. Size:557K  jiejie micro
 jmtv075n03a.pdf pdf_icon

JMTV080N02A

JMTV075N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 22A Load SwitchRDS(ON)

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