JMTV080N02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTV080N02A

Código: 080N02A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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JMTV080N02A datasheet

 ..1. Size:426K  jiejie micro
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JMTV080N02A

JMTV080N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 20A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:350K  jiejie micro
 jmtv070n02a.pdf pdf_icon

JMTV080N02A

JMTV070N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 25A Load Switch R

 9.2. Size:557K  jiejie micro
 jmtv075n03a.pdf pdf_icon

JMTV080N02A

JMTV075N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)

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