JMTP4435A Todos los transistores

 

JMTP4435A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP4435A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0166 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP4435A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  jiejie micro
 jmtp4435a.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP4435ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -10A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:1118K  jiejie micro
 jmtp440p04a.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP440P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications -40V, -6A Load SwitchRDS(ON)

 8.2. Size:410K  jiejie micro
 jmtp4407b.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP4407BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -30V, I = -11A PWM ApplicationsDS DR

 8.3. Size:1005K  jiejie micro
 jmtp4406a.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP4406ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 13A Load SwitchRDS(ON)

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History: SWD9N25D | IMW65R027M1H | FDB28N30 | NCE1220SP | HM120N04K | FDB3632-F085

 

 
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