JMTP4435A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP4435A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0166 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JMTP4435A datasheet

 ..1. Size:1125K  jiejie micro
jmtp4435a.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP4435A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -10A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:1118K  jiejie micro
jmtp440p04a.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP440P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -40V, -6A Load Switch RDS(ON)

 8.2. Size:410K  jiejie micro
jmtp4407b.pdf pdf_icon

JMTP4435A

JMTP4407B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -11A PWM Applications DS D R

 8.3. Size:1005K  jiejie micro
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JMTP4435A

JMTP4406A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 13A Load Switch RDS(ON)

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