JMTP4953B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP4953B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JMTP4953B datasheet

 ..1. Size:414K  jiejie micro
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JMTP4953B

JMTP4953B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -20V, I = -4A PWM Applications DS D R

 6.1. Size:577K  jiejie micro
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JMTP4953B

JMTP4953A Description JMT Dual P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -5.1A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1118K  jiejie micro
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JMTP4953B

JMTP440P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -40V, -6A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:999K  jiejie micro
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JMTP4953B

JMTP400N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 6A Load Switch RDS(ON)

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