JMTP4953B Todos los transistores

 

JMTP4953B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP4953B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP4953B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  jiejie micro
 jmtp4953b.pdf pdf_icon

JMTP4953B

JMTP4953BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -20V, I = -4A PWM ApplicationsDS DR

 6.1. Size:577K  jiejie micro
 jmtp4953a.pdf pdf_icon

JMTP4953B

JMTP4953ADescriptionJMT Dual P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -5.1A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1118K  jiejie micro
 jmtp440p04a.pdf pdf_icon

JMTP4953B

JMTP440P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications -40V, -6A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:999K  jiejie micro
 jmtp400n04a.pdf pdf_icon

JMTP4953B

JMTP400N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 6A Load SwitchRDS(ON)

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History: CRSS042N10N | CRSS046N08N | AP02N60J-H

 

 
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