JMTJ2302C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTJ2302C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Encapsulados: SOT23
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JMTJ2302C datasheet
jmtj2302c.pdf
JMTJ2302C Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 4A Load Switch RDS(ON)
jmtj2333a.pdf
JMTJ2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -12V, -7A Load Switch RDS(ON)
jmtj210p02a.pdf
JMTJ210P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -20V, -7A Load Switch RDS(ON)
jmtj250p02a.pdf
JMTJ250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -5A Load Switch R
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