JMTJ250P02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTJ250P02A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JMTJ250P02A datasheet

..1. Size:378K jiejie micro
jmtj250p02a.pdf pdf_icon

JMTJ250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -5A Load Switch R

9.1. Size:460K jiejie micro
jmtj210p02a.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -20V, -7A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:984K jiejie micro
jmtj2333a.pdf pdf_icon

JMTJ2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -12V, -7A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:986K jiejie micro
jmtj2302c.pdf pdf_icon

JMTJ2302C Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 4A Load Switch RDS(ON)