JMTJ3400A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTJ3400A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0267 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JMTJ3400A datasheet

 ..1. Size:421K  jiejie micro
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JMTJ3400A

JMTJ3400A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 5.8A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:660K  jiejie micro
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JMTJ3400A

JMTJ3401A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -4.2A Load Switch RDS(ON)

 7.2. Size:1248K  jiejie micro
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JMTJ3400A

30V, 5A, 25m N-channel Power Trench MOSFET JMTJ3404A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 30 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.8 V ID(@VGS=10V) 5 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 18 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 25 mW PWM Application Power Management D G S SOT

 7.3. Size:591K  jiejie micro
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JMTJ3400A

JMTJ3401B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -4A Load Switch RDS(ON)

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