JMTL2301E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTL2301E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Encapsulados: SOT23
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JMTL2301E datasheet
jmtl2301e.pdf
JMTL2301E Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -20V, -2A Load Switch RDS(ON)
jmtl2301b.pdf
JMTL2301B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-2.5A PWM Applications DS D R
jmtl2301c.pdf
JMTL2301C Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -20V, I = -3A PWM Applications DS D R
jmtl2302b.pdf
JMTL2302B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 3A Load Switch RDS(ON)
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Liste
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