JMTL2305B1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTL2305B1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: SOT23
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JMTL2305B1 datasheet
jmtl2305b1.pdf
JMTL2305B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-12V, I =-4.1A PWM Applications DS D R
jmtl2305a.pdf
JMTL2305A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -20V, I = -4.1A PWM Applications DS D R
jmtl2302b.pdf
JMTL2302B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 3A Load Switch RDS(ON)
jmtl2301b.pdf
JMTL2301B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-2.5A PWM Applications DS D R
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Liste
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