JMTP120C03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTP120C03D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de JMTP120C03D MOSFET
JMTP120C03D Datasheet (PDF)
jmtp120c03d.pdf
JMTP120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 10A Battery ProtectionR
jmtp160p03d.pdf
-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFETJMTP160P03DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free platingID(@VGS=10V) -11 ARDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application
jmtp170n06d.pdf
60V, 9.2A, 18m N-channel Power Trench MOSFETJMTP170N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 9.2 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16.7 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.3 mW Load Switch PWM Application
jmtp110n06a.pdf
JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R
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History: JMTP130N04A
History: JMTP130N04A
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