JMTP120C03D Todos los transistores

 

JMTP120C03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP120C03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP120C03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  jiejie micro
 jmtp120c03d.pdf pdf_icon

JMTP120C03D

JMTP120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 10A Battery ProtectionR

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP120C03D

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFETJMTP160P03DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free platingID(@VGS=10V) -11 ARDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

 9.2. Size:1267K  jiejie micro
 jmtp170n06d.pdf pdf_icon

JMTP120C03D

60V, 9.2A, 18m N-channel Power Trench MOSFETJMTP170N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 9.2 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16.7 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.3 mW Load Switch PWM Application

 9.3. Size:582K  jiejie micro
 jmtp110n06a.pdf pdf_icon

JMTP120C03D

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

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History: JMTP380N03D

 

 
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