JMTP120C03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP120C03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOP8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTP120C03D datasheet

..1. Size:544K jiejie micro
jmtp120c03d.pdf pdf_icon

JMTP120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 10A Battery Protection R

9.1. Size:1383K jiejie micro
jmtp160p03d.pdf pdf_icon

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

9.2. Size:1267K jiejie micro
jmtp170n06d.pdf pdf_icon

60V, 9.2A, 18m N-channel Power Trench MOSFET JMTP170N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 9.2 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16.7 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.3 mW Load Switch PWM Application

9.3. Size:582K jiejie micro
jmtp110n06a.pdf pdf_icon