JMSL0601TG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0601TG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 164 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 294 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3438 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0601TG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0601TG datasheet

 ..1. Size:1201K  jiejie micro
 jmsl0601tg.pdf pdf_icon

JMSL0601TG

60V, 294A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0601TG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.3 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:397K  jiejie micro
 jmsl0601bg.pdf pdf_icon

JMSL0601TG

JMSL0601BG 60V 1.25m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 60 V VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 226 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.25 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.8 m Applications Power Mana

 6.2. Size:347K  jiejie micro
 jmsl0601ag.pdf pdf_icon

JMSL0601TG

JMSL0601AG 60V 0.90m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 275 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

 6.3. Size:413K  jiejie micro
 jmsl0601agq.pdf pdf_icon

JMSL0601TG

JMSL0601AGQ 60V 0.90m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 315 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTP260N03D, JMTP3008A, JMTP3010D, JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, JMSL0601BG, JMSL0601BGQ, SPP20N60C3, JMSL0602AG, JMSL0602AGQ, JMSL0602MG, JMSL0602PG, JMSL0603AK, JMSL0603BG, JMSL0603BGQ, JMSL0603PG