JMSL0603PG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0603PG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 154 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1749 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL0603PG datasheet

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JMSL0603PG

60V, 154A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0603PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 154 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.7 mW Applications Load Switch PW

 6.1. Size:378K  jiejie micro
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JMSL0603PG

JMSL0603BGQ 60V 2.4m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 147 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.4 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 3.4 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:353K  jiejie micro
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JMSL0603PG

JMSL0603AK 60V 2.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 3.3 Halogen-free and RoHS-compliant m Applications Power M

 6.3. Size:315K  jiejie micro
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JMSL0603PG

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