JMTC018N03A Todos los transistores

 

JMTC018N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTC018N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 863 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMTC018N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1247K  jiejie micro
 jmtc018n03a.pdf pdf_icon

JMTC018N03A

30V, 190A, 2.8m N-channel Power Trench MOSFETJMTC018N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.8 mW Load Switch PWM Application

 9.1. Size:1249K  jiejie micro
 jmtc060n06a.pdf pdf_icon

JMTC018N03A

60V, 120A, 4.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTC060N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 120 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

 9.2. Size:1250K  jiejie micro
 jmtc035n04a.pdf pdf_icon

JMTC018N03A

40V, 150A, 3.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTC035N04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 150 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

 9.3. Size:427K  jiejie micro
 jmtc085p04a.pdf pdf_icon

JMTC018N03A

JMTC085P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -70A PWM ApplicationsDS DR

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