JMTC320N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTC320N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO220
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JMTC320N10A datasheet
jmtc320n10a.pdf
100V, 30A, 22.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTC320N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 30 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 21.2 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V Load Switch 22.9 mW PWM Application
jmtc3003a.pdf
JMTC3003A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 30V, 150A Load Switch RDS(ON)
jmtc3005a.pdf
30V, 90A, 5.0m N-channel Power Trench MOSFET JMTC3005A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 90 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.0 mW Applications Load Switch PW
jmtc3002b.pdf
30V, 165A, 3.5m N-channel Power Trench MOSFET JMTC3002B Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 3.5 mW Load Switch PWM Application P
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History: JMTC035N06D
🌐 : EN ES РУ
Liste
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