JMTL3400A Todos los transistores

 

JMTL3400A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTL3400A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTL3400A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  jiejie micro
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JMTL3400A

JMTL3400ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 5.8A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:834K  jiejie micro
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JMTL3400A

JMTL3400LDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 5A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:1270K  jiejie micro
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JMTL3400A

30V, 4A, 39m N-channel Power Trench MOSFETJMTL3406A Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 30 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.4 VID(@VGS=10V) 4 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 29 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 39 mW PWM Application Power ManagementDG SSO

 7.2. Size:1152K  jiejie micro
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JMTL3400A

JMTL3401BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4A Load SwitchRDS(ON)

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History: IRFW710A | IPP60R280P6 | FQA46N15 | IPZ60R040C7 | APQ02SN60AH | FDPF44N25T

 

 
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