JMTL3406A Todos los transistores

 

JMTL3406A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTL3406A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTL3406A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  jiejie micro
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JMTL3406A

30V, 4A, 39m N-channel Power Trench MOSFETJMTL3406A Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 30 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.4 VID(@VGS=10V) 4 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 29 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 39 mW PWM Application Power ManagementDG SSO

 7.1. Size:834K  jiejie micro
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JMTL3406A

JMTL3400LDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 5A Load SwitchRDS(ON)

 7.2. Size:1152K  jiejie micro
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JMTL3406A

JMTL3401BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4A Load SwitchRDS(ON)

 7.3. Size:546K  jiejie micro
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JMTL3406A

JMTL3401ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4.2A Load SwitchRDS(ON)

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History: AP9926GM | IPA045N10N3 | RU40190S | SK840319 | DG2N65-252 | 2SK2637 | BVSS123LT1G

 

 
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