JMTL3406A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTL3406A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JMTL3406A datasheet

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JMTL3406A

30V, 4A, 39m N-channel Power Trench MOSFET JMTL3406A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 30 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.4 V ID(@VGS=10V) 4 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 29 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 39 mW PWM Application Power Management D G S SO

 7.1. Size:834K  jiejie micro
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JMTL3406A

JMTL3400L Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 5A Load Switch RDS(ON)

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JMTL3406A

JMTL3401B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -4A Load Switch RDS(ON)

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JMTL3406A

JMTL3401A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -4.2A Load Switch RDS(ON)

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