JMTQ3003A Todos los transistores

 

JMTQ3003A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ3003A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ3003A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  jiejie micro
 jmtq3003a.pdf pdf_icon

JMTQ3003A

JMTQ3003ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 80A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:1237K  jiejie micro
 jmtq3005c.pdf pdf_icon

JMTQ3003A

30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ3005CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 61 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mWApplications Load Switch PW

 7.2. Size:1240K  jiejie micro
 jmtq3008a.pdf pdf_icon

JMTQ3003A

30V, 41A, 8.8m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ3008AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 41 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.8 mWApplications Load Switch PW

 7.3. Size:1120K  jiejie micro
 jmtq3005a.pdf pdf_icon

JMTQ3003A

JMTQ3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applicationsl 30V, 50A l Load Switch RDS(ON)

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History: JMSH0602PE | IAUC100N04S6N022 | SMIRF16N65T1TL | AONR32318 | 3060K | AP2R803GJB | STW11NB80

 

 
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