JMTQ3008A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ3008A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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JMTQ3008A datasheet

 ..1. Size:1240K  jiejie micro
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JMTQ3008A

30V, 41A, 8.8m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3008A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 41 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.8 mW Applications Load Switch PW

 7.1. Size:1237K  jiejie micro
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JMTQ3008A

30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 61 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mW Applications Load Switch PW

 7.2. Size:1120K  jiejie micro
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JMTQ3008A

JMTQ3005A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications l 30V, 50A l Load Switch RDS(ON)

 7.3. Size:1313K  jiejie micro
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JMTQ3008A

30V, 52A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3006C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.1 mW Applications Load Switch PW

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