JMSL0403AGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0403AGQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 927 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0403AGQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0403AGQ datasheet

 ..1. Size:571K  jiejie micro
 jmsl0403agq.pdf pdf_icon

JMSL0403AGQ

JMSL0403AGQ 40V 2.5mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 128 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 3.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 4.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0403ag.pdf pdf_icon

JMSL0403AGQ

 5.1. Size:285K  jiejie micro
 jmsl0403au.pdf pdf_icon

JMSL0403AGQ

 6.1. Size:1229K  jiejie micro
 jmsl0403pgq.pdf pdf_icon

JMSL0403AGQ

40V, 150A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0403PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 150 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 3.0 mW Applications

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTQ320N10A, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, JMTQ60N04B, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, IRFZ44N, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU, JMSL04055GQ, JMSL04055UQ, JMSL04060GDQ