JMSL04055UQ Todos los transistores

 

JMSL04055UQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL04055UQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 633 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL04055UQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  jiejie micro
jmsl04055uq.pdf pdf_icon

JMSL04055UQ

40V, 62A, 5.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL04055UQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 62 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.1 mW Pb-free plating

 5.1. Size:1190K  jiejie micro
jmsl04055gq.pdf pdf_icon

JMSL04055UQ

40V, 119A, 4.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL04055GQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 119 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mWApplications

 7.1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdf pdf_icon

JMSL04055UQ

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 7.2. Size:557K  jiejie micro
jmsl0406agdq.pdf pdf_icon

JMSL04055UQ

JMSL0406AGDQ40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

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History: FDS8840NZ | STS2302A

 

 
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