JMSL1010PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL1010PG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 731 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSL1010PG MOSFET
JMSL1010PG Datasheet (PDF)
jmsl1010pg.pdf

JMSL1010PG100V 6.4m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 74 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Ro
jmsl1010pgd.pdf

100V, 69A, 10.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1010PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 69 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.0 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.8 mW Load Switch PWM Application
jmsl1010pgs.pdf

100V, 75A, 10.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1010PGSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 75 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.4 mW Load Switch PWM Application
jmsl1010pgq.pdf

100V, 77A, 12.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1010PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 77 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.3 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.1 mWApplications
Otros transistores... JMSL1010AGQ , JMSL1010AK , JMSL1010AKQ , JMSL1010AP , JMSL1010AU , JMSL1010AUQ , JMSL1010PC , JMSL1010PE , 2SK3878 , JMSL1010PGD , JMSL1010PGQ , JMSL1010PGS , JMSL1010PK , JMSL1010PKS , JMSL1010PP , JMSL1010PU , JMSL10A13K .
History: JMTK068N07A | JMTK060N06A
History: JMTK068N07A | JMTK060N06A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet