DMN2300U MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMN2300U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2300U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: SOT23

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DMN2300U datasheet

..1. Size:151K diodes
dmn2300u.pdf pdf_icon

..2. Size:132K tysemi
dmn2300u.pdf pdf_icon

Product specification DMN2300U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 Product Summary Features and Benefits On resistance

0.1. Size:165K diodes
dmn2300ufb4.pdf pdf_icon

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFB4 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C 0.4mm profile ideal for low profile applications (Note 5) Low Gate Threshold Voltage 175m @ VGS = 4.5V 1.30A Fast Switching Speed 240m @ VGS =

0.2. Size:275K diodes
dmn2300ufd.pdf pdf_icon

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFD 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25 C (Notes 4) Lead Free , RoHS Compliant (Note 1) 200m @ VGS = 4.5V 1.73A Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 260m @ VGS = 2.5V

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