JMTE035N06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTE035N06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 258 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 642 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO263

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JMTE035N06D datasheet

 ..1. Size:381K  jiejie micro
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JMTE035N06D

JMTE035N06D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 180A Load Switch R

 5.1. Size:1253K  jiejie micro
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JMTE035N06D

40V, 150A, 3.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTE035N04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 150 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

 9.1. Size:1263K  jiejie micro
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JMTE035N06D

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

 9.2. Size:536K  jiejie micro
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JMTE035N06D

JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R

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