JMTK110N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK110N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK110N06A MOSFET
JMTK110N06A Datasheet (PDF)
jmtk110n06a.pdf
60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFETJMTK110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-252
jmtk100n02a.pdf
JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)
jmtk120n03a.pdf
JMTK120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 20A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100p03a.pdf
-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica
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Liste
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