JMTK120N03A Todos los transistores

 

JMTK120N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK120N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0122 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK120N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:879K  jiejie micro
 jmtk120n03a.pdf pdf_icon

JMTK120N03A

JMTK120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 20A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK120N03A

JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1298K  jiejie micro
 jmtk110n06a.pdf pdf_icon

JMTK120N03A

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFETJMTK110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-252

 9.3. Size:1371K  jiejie micro
 jmtk100p03a.pdf pdf_icon

JMTK120N03A

-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica

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History: JMTK2006A | WFF13N50 | WFF12N65

 

 
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