JMTK130P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK130P04A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 329 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK130P04A datasheet

 ..1. Size:424K  jiejie micro
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JMTK130P04A

JMTK130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -40A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:1068K  jiejie micro
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JMTK130P04A

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1298K  jiejie micro
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JMTK130P04A

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFET JMTK110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252

 9.3. Size:879K  jiejie micro
 jmtk120n03a.pdf pdf_icon

JMTK130P04A

JMTK120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 20A Load Switch RDS(ON)

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