JMTK1404A1 Todos los transistores

 

JMTK1404A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK1404A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 518 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK1404A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
 jmtk1404a1.pdf pdf_icon

JMTK1404A1

40V, 79A, 3.1m N-channel Power Trench MOSFETJMTK1404AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 79 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 9.1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK1404A1

JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1298K  jiejie micro
 jmtk110n06a.pdf pdf_icon

JMTK1404A1

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFETJMTK110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-252

 9.3. Size:879K  jiejie micro
 jmtk120n03a.pdf pdf_icon

JMTK1404A1

JMTK120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 20A Load SwitchRDS(ON)

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