JMTK2007A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK2007A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK2007A MOSFET
JMTK2007A Datasheet (PDF)
jmtk2007a.pdf

JMTK2007ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
jmtk2006a.pdf

JMTK2006ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 20V, 60A Load SwitchRDS(ON)
jmtk290n06a.pdf

60V, 30A, 28m N-channel Power Trench MOSFETJMTK290N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 30 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 25 mW Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 28 mWApplications Load Switch PWM
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History: JMTK3005A
History: JMTK3005A



Liste
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